【摘 要】
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用直流溅射法在Si基片上制备了250nm厚的Al膜,并在不同退火温度下进行退火处理,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究.结构分析表
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用直流溅射法在Si基片上制备了250nm厚的Al膜,并在不同退火温度下进行退火处理,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究.结构分析表明:退火后的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;随着退火温度由20℃升高到400℃,薄膜的平均晶粒尺寸由22.8nm增加到25.1nm;薄膜晶格常数在不同退火温度下均比标准值4.0496稍小.应力分析表明:随退火温度的升高,Al膜应力减小,300℃时平均应力减小为-2.730×10 8Pa且分布均匀;在400℃时选区范围
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