【摘 要】
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基于经典Wildar带隙基准结构,通过单级高增益低失调运放及其闭环负反馈设计,将电压求和模式输出与电阻负载驱动紧密结合,同时增加简单的单管并联高阶补偿结构,实现了一种具有
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基于经典Wildar带隙基准结构,通过单级高增益低失调运放及其闭环负反馈设计,将电压求和模式输出与电阻负载驱动紧密结合,同时增加简单的单管并联高阶补偿结构,实现了一种具有较大负载驱动能力的高精度多值低压基准输出,解决了经典基准电路在补偿精度与PSRR方面的局限性。CSMC 0.5μm CMOS工艺仿真结果表明,在-40~125℃,一阶补偿的温度系数为6×10-6/℃,输出电阻支路采用并联MOS管的高阶补偿后,温度系数下降到1.27×10-6/℃,低频下电源抑制比达到-57 dB。
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