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将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1W的白光发光二极管（LED），对其施加900mA的电流应力，在老化过程中测量白光LED的主要光学参数，考察其光学特性的退化情况。经过4200h的老化，样品光通量退化为初始值的15％-18％。样品的漏电流明显增大，表明芯片有源区缺陷密度提高，但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少，仅观察到黄光部分辐射量的减少，推断出YAG荧光粉的转换效率降低。同时，从原理上分析了样品色温逐渐增大，显色指数基本不变的原因，对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴