【摘 要】
：
利用70 keV和140 keV质子辐照增强型AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),得到了最大饱和电流线密度、阈值电压及栅泄漏电流线密度等关键参数的退化规律,并与常规HEMTs器件的辐照退化行为进行了比较,并通过SRIM计算结果和C-V测试结果进一步分析了MIS-HEMTs的退化机制。结果表明,质子辐照在栅介质层和栅介质/AlGaN界面引入的辐照缺陷会导致界面态充/放电效应,使阈值电压正向漂移;辐照缺陷增加了电子穿越势垒的概率,导致栅极泄漏电流线密度增大;2维电子气(2DEG)
【机 构】
：
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安电子科技大学微电子学院
【基金项目】
：
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1711)。
论文部分内容阅读
利用70 keV和140 keV质子辐照增强型AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),得到了最大饱和电流线密度、阈值电压及栅泄漏电流线密度等关键参数的退化规律,并与常规HEMTs器件的辐照退化行为进行了比较,并通过SRIM计算结果和C-V测试结果进一步分析了MIS-HEMTs的退化机制。结果表明,质子辐照在栅介质层和栅介质/AlGaN界面引入的辐照缺陷会导致界面态充/放电效应,使阈值电压正向漂移;辐照缺陷增加了电子穿越势垒的概率,导致栅极泄漏电流线密度增大;2维电子气(2DEG)
其他文献
针对TEM喇叭天线低频辐射性能不佳的问题,设计了一种线栅型末端卷边背载TEM电磁脉冲辐射喇叭天线。采用时域分析方法,分析了用线栅型结构替代传统板型结构TEM喇叭天线的可行性;针对TEM喇叭天线终端反射大、低频辐射效率低的问题,提出了一种末端卷边、背部加载电阻的低频补偿方法,并对线栅型天线的尺寸、极板顶角等结构进行了参数优化;最后,通过仿真和实验验证了其性能。结果表明,该天线可较好地改善辐射场波形,电场强度峰值提升了26%,半峰值脉宽提升了5.13 ns。
采用1 MeV电子辐照,开展了4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)空间电子辐照效应测试分析。测试结果表明,随着辐照电子注量的增加,JBS的正向特性逐渐退化,串联电阻逐渐增加;电子注量为5×1014 cm-2时,反向漏电流在高反向电压下有所增加;电子注量为5×1015 cm-2时,反向漏电流明显降低;自由载流子浓度随辐照注量的增加而降低,载流子去除率约为0.37 cm-1。通过对辐照前后的SiC
为保证脉冲同轴输出装置的绝缘性、结构稳定性及工程可实现性,本文提出了一种双锥支撑结构,建立了该结构的简化动力学模型,推导了径向临界稳定力的理论计算公式,并进行了有限元仿真分析。结果表明,双锥支撑结构的径向临界稳定力与绝缘距离成反比,径向临界稳定力仿真值与理论值的相对偏差小于6%,验证了简化动力学模型的正确性,可以根据该模型及沿面绝缘距离要求,进行双锥支撑结构设计。与传统平板式支撑结构相比,双锥支撑结构具有同轴可实现性强、沿面绝缘距离长及工程易实现等优点。
考虑到经典的Black-Scholes(B-S)期权定价模型不能描述资产价格的长相依性和跳跃现象,用混合高斯和带跳模型描述标的资产价格的变动过程.首先,得到了几何平均亚式幂期权价格所满足的数学模型.其次,分别获得了几何平均亚式看涨和看跌幂期权的定价公式.最后,讨论了参数对期权价格的敏感性.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过计算Pt边缘掺杂石墨烯的形成能,确定了Pt的最佳掺杂位点,并研究了引入应变前后Pt掺杂石墨烯氧还原反应的催化性能。结果表明,引入应变后石墨烯基底吸附O2的结构是稳定的;随着压应变的引入,费密面附近的态密度峰值向价带移动,促进了Pt边缘掺杂石墨烯作为燃料电池阴极氧还原反应电催化剂的电子转移,有利于催化反应的进行;当引入压应变为6.1%时,Pt边缘掺杂石墨烯的催化性能最佳。
同时考虑个体传播与媒介宣传这两个风险因素,建立反映吸烟传播动态的数学模型,研究这两个因素耦合作用对动力学模型性态的影响.结果发现,模型会发生后向分支,这意味着即使吸烟传播阈值R0<1,吸烟者仍然可能持续存在;另外,发现模型无烟平衡点局部渐近稳定,这说明把吸烟控制在低水平的重要性;最后发现,当R0>1时,系统存在唯一的吸烟平衡点且模型是一致持续的,这暗示吸烟会一直持续存在.
目的 探讨乳腺癌组织分离的γδ1 T细胞诱导免疫衰老发挥免疫抑制作用及其逆转的机制.方法 乳腺癌组织分离出的γδ1 T细胞与健康人外周血分离的初始CD4+T细胞共培养后,采用C
为评估CCD在高能质子辐照条件下的损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上开展了200 MeV质子辐照CCD的实验研究,在辐照注量为1×1010 cm-2时,得到了CCD性能退化的实验结果,分析了CCD的暗信号、暗电流密度、随机噪声、暗信号不均匀性、暗信号尖峰及其分布等暗场特性参数和饱和输出、动态范围、电荷转移效率等明场特性参数退化的实验规律和损伤机理。结果表明,200 MeV质子辐照后,CCD暗场特性参数退化显著,退火后,暗场特性参数虽有一定程度的恢复,但
以IG11型核石墨材料为研究对象,通过圆盘压缩试验,对比了平板劈裂法、垫条劈裂法、ISRM标准圆弧劈裂法和等半径圆弧劈裂法测量抗拉强度的适用性。实验结果表明,只有等半径圆弧劈裂法可以保证核石墨圆盘从中心起裂,从而获得准确的抗拉强度;IG11型核石墨6个试件的平均抗拉强度为24.8 MPa。
利用微机械剥离法制备了α-In2Se3基柔性晶体管,本文研究了该晶体管在60Coγ射线辐照至吸收剂量为100 krad(Si)时的光电性能,基于对α-In2Se3纳米片元素组成、表面形貌、声子模式及畴结构的精细表征,分析了γ射线辐照该晶体管的损伤机制,并研究了通过弯曲引入的面内应变对光电性能的调控作用,通过计算载流子浓度的变化,探讨了应变调控光电性能的机理。结果表明,γ射线辐照诱导产生的缺陷可能是导致α-In