亚70nm CMOS工艺低漏电流、高噪声容限的低功耗多输入多米诺或门的设计

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提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺“或门”的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限,采用新的电路技术设计了八输入多米诺“或门”并基于45nm BSIM4 SPICE模型对其进行了模拟,模拟结果表明,设计的两种新多米诺电路在同样的噪声容限下有效地降低了动态功耗,减小了总的漏电流,同时提高了工作速度,与双阈值多米诺电路相比,设计的两种电路动态功耗分别降低了8.8%和11.8%,电路速度分别提高了9.5%和13.7%,同时总的漏电流分别降低了80.8%和82.4%,基于模拟结果,也分析了双阈
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