基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性研究

• 作 者: 李静雷 郑凯波 沈浩颋 邢晓艳 孙大林 陈国荣
• 机 构: 复旦大学材料科学系
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2008年1期
• 关键词: 氧化锌 纳米线 场效应管 频率响应 ZnO Nanowire Field effect transistor（FET） Frequency respons
• 基金项目: 国家自然科学基金（No.60471010）,上海市科学技术基金项目（No.0552nm038）

本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法，用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌，测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2V时，测得场效应管的开启电压Vgs=-16．2V；计算得到低频跨导gm=46．6nS。在Vgs=0V时，测得-维ZnO纳米线的载流子浓度n=1．15×10^8cm^-1，电子迁移率μe=14．4cm^2／Vs，电导率σ=0．25Ω^-1cm^-1。该场效应管的上限截止频率fH=1585Hz，漏源极间电容C=25．4pF。本文还对基于单根氧化锌纳米线的场效