【摘 要】
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为了解VC薄膜生长过程,通过第一性原理方法,对C(和V)原子在VC晶体表面和晶体内部的迁移情况进行了计算.结果显示,C(和V)的单原子在VC晶体表面格点位置具有最低的系统能量,此
【机 构】
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内蒙古科技大学 包头014010上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200240;内蒙古科技大学 包头014010;上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200240;
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为了解VC薄膜生长过程,通过第一性原理方法,对C(和V)原子在VC晶体表面和晶体内部的迁移情况进行了计算.结果显示,C(和V)的单原子在VC晶体表面格点位置具有最低的系统能量,此时,C原子的活动性仍较强,其迁移激活能仅为0.08 eV,而V原子由稳定的格点位置迁移则有较大阻力,激活能为2.48 eV;在VC晶体内部,C和V原子在(111)层面内迁移的激活能分别为3.34和4.30 eV,层间激活能分别为2.93和3.64 eV,表明它们在晶内的迁移极为困难.结合此结果,对VC薄膜的制备参数进行了讨论.
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