高增益大功率达林顿晶体管的设计与制造

• 作 者: 杨晶琦 徐婀丽 王培林
• 机 构: 哈尔滨工业大学控制工程系
• 出 处: 哈尔滨工业大学学报
• 发表日期: 1994年03期
• 关键词: 达林顿 饱和压降 电流增益 基区 输出特性曲线 功放电路 击穿电压 集电区 输出管 开关速度

介绍了ｈｆｅ≥１２０００的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术。并对在１０Ａ比１ｍＡ的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。

The design method and key technologies of two-stage power Darlington device with hfe≥12000 are introduced. Several measures to achieve low saturation voltage drop at 10A to 1mA are discussed in more detail.