【摘 要】
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9206001 功率半导体器件的Al和Ga离子注人技术——Watanabe M.J.Electrochem.Soc.,(USA)1990,(137):2604(英文) 离子注入Al和Ga进入Si基片的扩散,Al和Ga的电活性由于3薄层Si
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9206001 功率半导体器件的Al和Ga离子注人技术——Watanabe M.J.Electrochem.Soc.,(USA)1990,(137):2604(英文) 离子注入Al和Ga进入Si基片的扩散,Al和Ga的电活性由于3薄层Si(基体)/SiO_2/Si_xN_y/SiO_2而升高。得到对Ga80％的好的电活性,对Al为5％。新的离子注入技术成功地用于制造直径115mm,6KV 2500A光触发半导体开关元件。
9206001 Al and Ga Ion Implantation Techniques for Power Semiconductor Devices - Watanabe MJ Electrochem. Soc., (USA) 1990, (137): 2604 Ion Implantation of Al and Ga into a Si Substrate for Diffusion, Al and Ga The electrical activity is increased due to 3 thin layers of Si (matrix) / SiO 2 / Si_xN_y / SiO 2. Good electrical activity was achieved for 80% Ga and 5% Al. The new ion implantation technology has been successfully used to manufacture a 115mm diameter, 6KV 2500A photo-triggered semiconductor switching element.
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