C—N化合物合成研究

• 作 者: 谢二庆 金运范 等
• 机 构: 中国科学院近代物理研究气
• 出 处: 原子核物理评论
• 发表日期: 2000年3期
• 关键词: 离子注入 金刚石薄膜 碳氮化合物 N-implantationdiamond filmcarbon nitride
• 基金项目: 国家博士后基金资助项目,,中国科学院“西部之光”基金资助项目,,中国科学院“九五”基础研究重点项目!(KJ925-S1-423)

用能量50－110keV的N离子在低于80℃温度下注入CVD法合成的金刚石薄膜后，分别用X射线光电子谱、红外谱和拉曼谱检测注入后的薄膜中是否形成了C－N化合物。结果表明注入后的薄膜中存在有3种化学键态的C－N化合物，且低能离子注入更有利于C－N化合物的形成。由于在注入区内形成了大量的C－N单键，这有利于β－C3N4的合成。对C－N化合物薄膜的场发射特性也做了研究。