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在深亚微米工艺下,单粒子效应引入的瞬态电流与粒子入射位置有关.基于粒子入射距离,提出了一种针对电路级仿真的一维瞬态电流源注入模型.结果显示,电流源模型与三维TCAD仿真得到的瞬态电流形状拟合更好,NMOS和PMOS器件收集电荷量的计算误差分别下降了66.9％和65.0％.提出的电流源模型能够精确地反映粒子入射位置改变时6T SRAM电路的翻转情况,能更好地用于大规模集成电路的单粒子效应电路级模拟分析.