【摘 要】
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A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxia
【机 构】
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Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,
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A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxial layers have been successfully grown. The non-uniformity of undoped GaN epitaxial layers is as low as 2.86%.Using the LED structural epitaxial layers, blue LED chips with area of 350×350μm~2 were fabricated.Under 20 mA injection current,the optical output power of the blue LED is 8.62 mW.
A homemade 7 × 2 inch MOCVD system is presented. This high-quality GaN epitaxial layers, InGaN / GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxial layers have been successfully grown. The non-uniformity of undoped GaN epitaxial layers is as low as 2.86% .Using the LED structural epitaxial layers, blue LED chips with area of 350 × 350μm ~ 2 were fabricated.Under 20mA injection current, the optical output power of the blue LED is 8.62mW.
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