【摘 要】
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利用化学气相沉积法,采用不同组分的金属合金纳米粒子AuPd作为催化剂,在Si(111)基底上成功制备大面积、高密度的硼纳米线薄膜.纳米线的平均长度约为10μm,直径在50—130 nm之
【机 构】
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北京电子科技职业学院,中山大学物理科学与工程技术学院广东省显示材料与技术重点实验室 光电材料与技术国家重点实验室,
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利用化学气相沉积法,采用不同组分的金属合金纳米粒子AuPd作为催化剂,在Si(111)基底上成功制备大面积、高密度的硼纳米线薄膜.纳米线的平均长度约为10μm,直径在50—130 nm之间.结构分析表明,纳米线为单晶结构,硼纳米线的直径随着元素Pd在合金催化剂中比例的增加而减少.场发射特性测试结果表明,通过调整催化剂组分可以实现对硼纳米线的尺寸和密度的调控.
Large-area and high-density boron nanowire films were successfully prepared on Si (111) substrates by chemical vapor deposition using AuPd as the catalyst. The average length of the nanowires was about 10μm, 50-130 nm.The structural analysis shows that the nanowires have a single crystal structure and the diameter of the boron nanowires decreases as the proportion of the element Pd increases in the alloy catalyst.The field emission characteristic test results show that by adjusting the catalyst components, To achieve the size and density of boron nanowires regulation.
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