采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED

• 作 者: 齐胜利 陈志忠 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建
• 机 构: 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,上海蓝光科技有限公司
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 2008年S1期
• 关键词: 氮化镓 多量子阱 发光二极管 铝镓氮/氮化镓 多量子势垒 外量子效率 GaN MQW LED AlGaN/GaN MQB external quantum ef
• 基金项目: 国家自然科学基金(60676032,60406007,60607003,60577030,60876063,60476028),国家“973”重点基础研究项目(TG2007CB307004,2006CB921607)

大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。