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通过构造导体表面电荷层分布模型，运用Ｐｏｉｓｓｏｎ方程求解，消除了导体表面电场强芭蜚 单值矛盾，并由此推导出σ（ｋ）函数。避免了文献（１）（２）利用Ｌａｎｄｌａｃｅ方程推导σ（ｋ）函数所导致的定义域非同一困难。从而完善了文献（１）（２）的σ（ｋ）函数的推导方法。孤立带电导体表面电荷面密度σ（ｋ）与该处表面曲率Ｋ的函数关系的研究，是静电理论长期争论的问题之一。文献（１）（２）讨论研究的σ（ｋ）与该处