【摘 要】
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2006年9月18日,来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器(Hybrid Silicon Laser)。这项技术
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2006年9月18日,来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器(Hybrid Silicon Laser)。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。
On September 18, 2006, researchers from Intel Corporation and the University of California at Santa Barbara (UCSB) successfully developed the world’s first hybrid silicon laser made using standard silicon processes. This breakthrough in technology marks one of the last hurdles in the industrialization of low-cost, high-bandwidth silicon photonics devices for the future of computers and data centers.
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