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对《电源技术》第２０卷第２期的《对Ｇａ１－ｚＡｌｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池结构的一点新看法》一文中提出的瓣看法进行了讨论，并通过理论分析和电池背场测试结果，指出了厚度为４００μｍ的Ｇａａｓ太阳电池背面处的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ合金化热处理不会引入背场效应，而是形成欧姆接触。
Al_xGa_(1-x)As/GaAs 太阳电池的背场结构——评《对 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池结构的一点新看法》
【摘 要】
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对《电源技术》第２０卷第２期的《对Ｇａ１－ｚＡｌｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池结构的一点新看法》一文中提出的瓣看法进行了讨论，并通过理论分析和电池背场测试结果，指出了厚度为４００μｍ的Ｇａａｓ太阳电池背面处的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ合金化热处理不
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所
【出 处】
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电源技术
【发表日期】
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1997年6期
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