中频磁控反应溅射制备硅基氮化铝薄膜

• 作 者: 陈璞 彭启才
• 机 构: 西华大学材料科学与工程学院
• 出 处: 西华大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2008年1期
• 关键词: 氮化铝 中频磁控反应溅射 结构 粗糙度 AlN medium frequency magnetron reaction sputtering structure

利用中频磁控反应溅射技术，以高纯～为靶材、高纯№为反应气体，在Si（111）衬底上成功制备出氮化铝薄膜。通过X衍射分析和原子力显微镜测试发现：提高N2分压和升高衬底温度有利于AIN（110）的形成；随着衬底温度的改变，AIN薄膜的表面粗糙度也在变化，当衬底温度为230℃时，RMS表面粗糙度最小。实验结果表明：升高衬底温度有利于制备（110）面择优取向的AIN薄膜，退火是影响氮化铝薄膜表面粗糙度的重要因素。