【摘 要】
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本文介绍一种用于超大规模集成电路的最新非对称轻掺杂漏（LDD）结构。该结构采用液相选择氧化物淀积技术和离子注入技术。在MOS晶体管的漏端形成轻掺杂的N-或P-区。使LDD结构源
【机 构】
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中国华晶电子集团公司中研所,214061
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本文介绍一种用于超大规模集成电路的最新非对称轻掺杂漏（LDD）结构。该结构采用液相选择氧化物淀积技术和离子注入技术。在MOS晶体管的漏端形成轻掺杂的N-或P-区。使LDD结构源端串联电阻大大减小。这种新结构MOS晶体管（W／L=50μm／0．35μm）导通电流增加，饱和漏电流增加45％。封装密度提高。液相选择氧化物在室温下生成。通过抗蚀剂掩膜实现选择性生长。淀积速率及SiO2颗粒可控性好。非对称LDD结构是VLSI技术的重要发展。
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