重掺硅衬底片的内吸除效应

• 作 者: 张红娣 郝秋艳 张建峰 张建强 李养贤 刘彩池
• 机 构: 河北工业大学信息功能材料研究所
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2004年5期
• 关键词: 重掺杂硅单晶 热处理 内吸除效应 氧沉淀增强现象 <Keyword>heavily doped CZSi heat treatment intern
• 基金项目: 国家自然科学基金，河北省自然科学基金，河北省博士科研项目，天津市自然科学基金

本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.