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带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极IGBT模块降低大约20%的功率损耗。
用于工业的具有高频开关性能的1200V IGBT模块
【摘 要】
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带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极IGBT模块降低大约20%的功率损耗。
【机 构】
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FujiHitachiPowerSemiconductorCo.
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2005年5期
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