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<正>虽然大多数国际电子器件会议(IEDM)论文都涉及到一些“主流”技术,如栅极长度小于0.1μm的CMOSFET,以及集成有十亿个晶体管的存储器和微处理器集成电路等取得的进展,但是大约有10多个会场分析研究了一些新颖器件所取得的进展.其中包括8英尺(2.5m)高、在毫米波长具有兆瓦射频功率的回旋管;fts为120GHz的硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT);最高频率(fmax)超过140GHz的Ⅲ/Ⅳ族材料射频集成电路;以及能够在4KV时控制20A的栅极控制功率开关(MOS控制晶闸管即