常压下Se和Te电子结构和弹性性质的第一性原理计算

• 作 者: 刘浩 王晓明 朱岩 郝爱民
• 机 构: 石家庄职工大学教务处,河北科技师范学院理化学院,燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
• 出 处: 吉林大学学报：理学版
• 发表日期: 2011年1期
• 关键词: 第一性原理计算 能带结构 弹性系数 德拜温度 first-principles calculation energy band structure elasti
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划973项目基金（批准号：2005CB724404）, 中国博士后科学基金（批准号：20090450924）, 河北科技师范学院博士启动基金（批准号：2008YB001）

利用基于密度泛函的第一性原理,计算ⅥA族元素Se和Te在常压下的能带结构、电子态密度、弹性系数和德拜温度.能带结构和电子态密度的计算结果表明：Se为间接带隙半导体,Se费米面附近的导带和价带主要来自外层4p4电子的贡献,4s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少;Te为直接带隙半导体,Te费米面附近的导带和价带主要来自外层5p4电子的贡献,5s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少.弹性系数计算结果表明：常压下具有六角结构的Se和Te的力学性质稳定;其德拜温度分别为263 K和315 K.