双极晶体管表面1/f噪声的研究

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本文从表面载流子数涨落机构出发,建立了双极晶体管表面i/f噪声电流的完整理论关系式.测量了噪声与双极晶体管的基区表面势、表面复合电流、发射区周长和电流放大系数等主要参数的依赖关系.理论规律与实验结果符合良好. In this paper, the complete theoretical relationship of i / f noise current at the bipolar transistor surface is established based on the mechanism of surface carrier number fluctuations.The noise and the bipolar transistor base area surface potential, surface recombination current, emitter circumference And the current amplification factor and other major parameters of the dependence relationship between theoretical and experimental results in good agreement.
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