【摘 要】
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结合理论和实验研究了掩埋光栅一级分布反馈太赫兹量子级联激光器中的模式竞争和功率特性.理论计算得到掩埋光栅腐蚀深度与两个带边模式的波导损耗、光学限制因子、辐射损耗
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件院重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件院重点实验室,上海200083
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结合理论和实验研究了掩埋光栅一级分布反馈太赫兹量子级联激光器中的模式竞争和功率特性.理论计算得到掩埋光栅腐蚀深度与两个带边模式的波导损耗、光学限制因子、辐射损耗以及辐射效率的关系.理论计算表明,掩埋光栅分布反馈结构可以通过改变腐蚀深度,保证激光器稳定单模工作在高频带边模式的同时,调节激光器的阈值增益以及辐射效率.实验和测试结果表明,激光器辐射波长和掩埋光栅的周期成正比,激光器可以在整个动力学范围内稳定单模工作.单模激光器的波长范围可覆盖86.2～91.7μm的范围,边模抑制比可达25 dB,最大输出功率为9.1 mW.该工作有助于高性能单模太赫兹激光器及锁相耦合激光器阵列的研制.
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