Si-Si02薄膜结构与光致发光的研究

• 作 者: 梁昌振 吴雪梅 欧阳义芳 诸葛兰剑
• 机 构: 广西大学,物理科学与技术学院,广西,南宁,530000苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;广西大学,物理科学与技术学院,广西
• 出 处: 苏州大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: Si-SiO2薄膜 结构 光致发光 退火

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si-SiO2薄膜,并在各种温度下进行了退火处理.XRD分析表明Si-SiO2薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在,它是富硅或者缺氧的结构.在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品的峰位分别在370nm、410nm、470nm和510nm.结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论.另外,还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响.