【摘 要】
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按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件
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按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件最好水平为f_0:12GHz,N_F:2.42dB,G_(?):13.89dB。该器件设计合理,工艺经过优化,使器件具有较高的成品率及优品率。
According to a new double-gate device design theory, GaAs dual-gate FET achieves excellent noise and gain performance by using a stepped gate and an embedded virtual ground connection between two gates. The second gate is capacitively grounded within the package to help improve stability. The best level of the device is f_0: 12GHz, N_F: 2.42dB, G_ (?): 13.89dB. The device design is reasonable, the process has been optimized, the device has a higher yield and excellent product rate.
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