InGaN太阳电池光电转换特性的理论计算

• 作 者: 张玉宁 剡文杰
• 机 构: 宁夏大学物理电气信息学院
• 出 处: 电源技术
• 发表日期: 2016年3期
• 关键词: 光电子材料 In GA N太阳电池 光电特性 转换效率 理论计算 optoelectronic materials InGaN solar cells ph
• 基金项目: 国家自然科学基金（61066002）

从p-n结太阳电池的理论模型和InxGa1-xN带隙的经验公式出发,结合实际材料参数,通过改变In组分来调节InxGa1-xN带隙。计算了标准太阳光谱AM1.5光子通量及该光谱下InxGa1-xN单结和InxGa1-xN/Ga P异质双结太阳电池的光电转换效率。结果显示,InxGa1-xN单结太阳电池的最大转换效率是27.28%,与之对应的In组分为0.82。InxGa1-xN/Ga P异质双结太阳电池的最高转换效率为30.75%,对应的In组分是0.74。这些结果可作为设计制备In Ga N太阳电池的理