【摘 要】
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本文着重从理论上阐述硅外延材料用于MOS CCD器件与VLSI的优越性,分析了制备中存在的问题,提出了解决方法。
This paper focuses on the theoretical elucidation of the ad
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本文着重从理论上阐述硅外延材料用于MOS CCD器件与VLSI的优越性,分析了制备中存在的问题,提出了解决方法。
This paper focuses on the theoretical elucidation of the advantages of silicon epitaxial materials for MOS CCD devices and VLSI, analyzes the problems in the preparation, and puts forward the solutions.
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