【摘 要】
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本文讨论了LSI和VLSI的器件技术及微细加工技术的现状和未来的前景。讨论的主题是MOS技术和双极技术,CMOS技术和NMOS技术以及SOS技术和本体硅技术之间的比较。还结合光刻、器
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本文讨论了LSI和VLSI的器件技术及微细加工技术的现状和未来的前景。讨论的主题是MOS技术和双极技术,CMOS技术和NMOS技术以及SOS技术和本体硅技术之间的比较。还结合光刻、器件隔离及新型棚和互连材料等的加工技术的技术可行性,考虑了缩小器件几何尺寸的实际局限性。
This article discusses the current and future promise of LSI and VLSI device technologies and microfabrication technologies. The topics discussed were a comparison between MOS and Bipolar technology, CMOS technology and NMOS technology as well as SOS technology and ontology silicon technology. Combined with the technical feasibility of photolithography, device isolation, and processing techniques for new sheds and interconnects, the practical limitations of reducing device geometries are considered.
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