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联华电子公司与SuVoha公司，日前宣布联合开发28nm工艺。该项工艺将SuVolta的DeeplyDepletedChannel（DDC）晶体管技术集成到联华电子的28nmHigh—K／MetalGate（HKMG）高效能移动（HPM）工艺。SuVoha与联华电子正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗，并提高SRAM的低电压效能。