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该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品的直流电压与脉冲电压下的击筹命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅介质膜击寿命增加，实验结果与模型预期的相符。
脉冲电压下介质膜的击穿寿命
【摘 要】
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该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品的直流电压与脉冲电
【机 构】
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华东师范大学电子科学技术系
【出 处】
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华东师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1999年3期
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