论文部分内容阅读
利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微晶薄膜中稀土掺杂状态对激发机制的影响。
溅射制备ZnS：Er^3＋薄膜的光电子发射结构
【摘 要】
：
利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微晶薄膜中稀土掺杂状态对激发机制的影响。
【机 构】
：
厦门大学物理系
【出 处】
：
半导体情报
【发表日期】
：
1998年4期
【基金项目】
：
福建省自然科学基金
其他文献
利用ＭＲ３５８单晶炉进行ＬＥＣ ＧａＡｓ单晶试制，采用原位合成工艺，不规则形状控制系统自动控制单晶的生长，对晶锭进行退火处理前后所做的电学及晶体完整性测试结果表明，退火明显改善了晶体的电学均匀
按照建立社会主义市场经济体制的目标全面推进化学工业的改革与发展化学工业部部长顾秀莲编者按：本文系顾秀莲部长１９９３年１２月２０日在全国化工厅局长会议上所作工作报告的部分摘要。限于
通过典型应用实例介绍了各种吸附分离的联合工艺及其应用前景。
春马铃薯间玉米再种晚稻,是湖南省永兴县近年来发展起来的一种新型耕作制度。据对20户共36亩稻田调查,平均亩产春马铃薯1396公斤,春玉米423.4公斤,杂交晚稻458.3公斤,锌亩产
论述了化工企业地震次生灾害的形成、特性、易发部位和影响因素，并提出了综合防御对策。
研究了干和湿条件下，在β－ＳｉＣ薄膜上生长的ＳｉＯ２薄膜。β－ＳｉＣ薄膜异质外延是生长在正晶轴和与晶轴偏闻２°的两种（００１）硅衬底上，在１０ｋＨｚ～１ＭＨｚ的范围内，测量了金属－氧化物－半导体结构的电容－电压和电导－电压特性