【摘 要】
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本文叙述了在较低温度(1000～1050℃)下,用SiCl_4—H_2还原法进行硅汽相生长时的一些现象。指出层状三角形生长虽然与表面缺陷有关,但不是多晶点,它是在〈111〉面衬底上低温汽
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本文叙述了在较低温度(1000～1050℃)下,用SiCl_4—H_2还原法进行硅汽相生长时的一些现象。指出层状三角形生长虽然与表面缺陷有关,但不是多晶点,它是在〈111〉面衬底上低温汽相生长晶体的自然现象。并且指出了在较低温度(1000～1050℃)下与在较高温度(～1200℃)下晶体生长速度的各向异性并不相同,利用这一特点,采用交替地低温—高温生长有可能改善汽相生长晶体的完整性。
This paper describes some phenomena of vapor phase growth of silicon by SiCl 4 -H 2 reduction at lower temperature (1000 ~ 1050 ℃). It is pointed out that although the growth of layered triangles is related to surface defects, it is not a polycrystalline point. It is a natural phenomenon of low temperature vapor phase growth of crystals on <111> surface substrates. And pointed out that the anisotropy of the crystal growth rate at a lower temperature (1000-1050 ° C) is different from that at a higher temperature (-1,200 ° C). With this feature, it is possible to use alternate low temperature-high temperature growth Improve the integrity of vapor grown crystals.
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由雅式展览服务有限公司(以下简称雅式)主办的“第十二届中国国际建筑及建材机械展”将于2005年12月6至8日在上海光大会展中心隆重举行。自1994年开始,雅式建机展系列一直得