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美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术，可以在砷化镓（GaAs）中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》（Nano Letters）上。
美科学家发明半导体腐蚀新技术
【摘 要】
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美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术，可以在砷化镓（GaAs）中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米
【出 处】
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机械工程师
【发表日期】
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2012年2期
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