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为了研究外磁场对量子阱中电子的能带结构的影响,采取了一种简单的可解析求解的模型,研究了周期性磁场下的GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱中电子的能带结构,发现在周期性磁场的作用下, 在z方向上的能量是分立的量子化能级,而原来在x-y平面内连续的能级分裂成分立的一系列许可带,但是在x方向上能量仍然是连续的,同时对其能带的特点和形成机制进行探讨.