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综述了迅速发展的计算机用新型氧化铋系层状铁电薄膜记忆材料的晶体结构、极化特点，应用原理以及它与传统ＰＺＴ类材料相比的优越性。概述了此类薄膜的制备方法，分析了该类薄膜目前尚存在的问题并展望了未来发展的趋势。
迅速发展的计算机存储铁电薄膜记忆材料
【摘 要】
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综述了迅速发展的计算机用新型氧化铋系层状铁电薄膜记忆材料的晶体结构、极化特点，应用原理以及它与传统ＰＺＴ类材料相比的优越性。概述了此类薄膜的制备方法，分析了该类薄膜目前尚
【机 构】
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天津大学材料学院
【出 处】
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河北陶瓷
【发表日期】
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2000年2期
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