【摘 要】
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中国科学院半导体研究所利用低压OVPE技术,分别在α-Al_2O_3和另一种氧化附底上成功地试制出P-N结型GaN LED。室温正向偏置下,观察到兰紫色发光。发光波长在420nm左右,半峰
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中国科学院半导体研究所利用低压OVPE技术,分别在α-Al_2O_3和另一种氧化附底上成功地试制出P-N结型GaN LED。室温正向偏置下,观察到兰紫色发光。发光波长在420nm左右,半峰宽(FWHM)约45nm。用这种氧化物衬底,在解理、晶格匹配和机加工等方面均优
The Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, used low-voltage OVPE technology to successfully prototype P-N junction GaN LEDs on α-Al 2 O 3 and another oxide substrate. The blue-violet light emission was observed under positive bias at room temperature. The emission wavelength is about 420 nm and the full width at half maximum (FWHM) is about 45 nm. This oxide substrate is excellent in cleavage, lattice matching, and machining.
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昨天，今天，明天 岁月里搅拌着人生的波澜 过去，现在，将来 生命中永远是操劳的辛酸 手中放飞的风筝 是儿女打工在外的挂念 紧握在手的风筝 是孙辈绕在身边的家园 啊，那留守老人 与大山携手相伴 靠山吃山终未变 与田地相依为命 坚守田园世代传 啊，那留守老人 仰起饱经风霜的脸庞 道道皱纹印刻无私奉献 伸出劳作一生的手掌 个个老茧包裹汗水良田 啊，那人生不寻常的足迹
墨西哥希尔萨公司蒙特雷厂的CSP生产线计划分两期完成,一期工程经过19个月的建设,已于1995年2月投产。年产能力为75万吨,其设备包括一座直流电弧炉、一座交流钢包精炼炉、一