【摘 要】
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为了使半导体激光器输出高功率、高光束质量的激光,垂直外腔面发射激光器(VECSEL)应运而生.本文通过对激光器谐振腔的稳定条件进行计算,并结合实验估算出VECSEL中增益芯片的
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海201800;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海201
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为了使半导体激光器输出高功率、高光束质量的激光,垂直外腔面发射激光器(VECSEL)应运而生.本文通过对激光器谐振腔的稳定条件进行计算,并结合实验估算出VECSEL中增益芯片的热透镜在泵浦功率为31.3W时的热焦距在45.7 mm到53.6 mm之间.实验过程中观测到增益芯片的荧光光谱随观测角度变化的现象,并提出一种通过观测增益芯片在不同角度下的荧光光谱来直接估算VECSEL的调谐范围的方法,用所提方法测得增益芯片调谐范围为995～1030 nm.
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