【摘 要】
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采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,Nd掺杂并未改变薄膜的晶格对称性
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采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,Nd掺杂并未改变薄膜的晶格对称性,仍然保持Bi层状钙钛矿结构,但能在一定程度上抑制晶粒的生长,使薄膜的晶粒更加细小、均匀,同时能明显改善薄膜的介电、铁电性能。Nd掺杂量x=0.30～0.40时,Bi4-xNdxTi3O12薄膜的综合性能较好,其介电常数εr〉250,介电损耗tanδ〈0.1,剩余极化Pr=20.6μC/cm2,Ec〈150 k
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