【摘 要】
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一种从350兆赫至14千兆赫频率范围的超宽带放大器组件已经研制成功。在整个这一40:1带宽范围内最小增益为4分贝,输出功率有13分贝毫瓦。该放大器用负反馈和正反馈回路与一个
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一种从350兆赫至14千兆赫频率范围的超宽带放大器组件已经研制成功。在整个这一40:1带宽范围内最小增益为4分贝,输出功率有13分贝毫瓦。该放大器用负反馈和正反馈回路与一个砷化镓金属半导体场效应晶体管做在一起,该砷化镓金属半导体场效应晶体管的主要特性在于寄生参数低。该晶体管栅极尺寸为800×1微米。文中讨论了砷化镓金属半导体场效应管的工艺和射频性能,也讨论了单端反馈放大器的设计考虑和性能。
An ultra-wideband amplifier assembly in the 350 MHz to 14 GHz frequency range has been developed. The minimum gain is 4 dB over the entire 40: 1 bandwidth and the output power is 13 dBm. The amplifier is combined with a GaAs metal-semiconductor field-effect transistor with a negative feedback and a positive feedback loop. The main characteristic of this GaAs metal-semiconductor field-effect transistor is its low parasitic capacitance. The transistor gate size is 800 × 1 micron. This paper discusses the process and RF performance of gallium arsenide metal-semiconductor FETs, and also discusses the design considerations and performance of single-ended feedback amplifiers.
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