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期刊论文
高温MOS器件综述
高温MOS器件综述
来源 :电子科技导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wumujiayou
【摘 要】
:
本文全面介绍了高温MOS器件物理基础、宽温我MOSFET和集成电路高温特性的测试结果和理论分析、高温MOS器件设计的特殊考虑和优化设计、高温MOS器件模拟技术及模拟和验证。
【作 者】
:
冯耀兰
【机 构】
:
东南大学
【出 处】
:
电子科技导报
【发表日期】
:
1996年9期
【关键词】
:
高温
MOS器件
泄漏电流
微电子器件
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本文全面介绍了高温MOS器件物理基础、宽温我MOSFET和集成电路高温特性的测试结果和理论分析、高温MOS器件设计的特殊考虑和优化设计、高温MOS器件模拟技术及模拟和验证。
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