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在77K温度,测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=1589cm-1,即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰,分析认为,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关.根据电子干涉理论计算出的电流峰位置与实验结果非常一致.
GaAs／AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
【摘 要】
：
在77K温度,测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=1589cm-1,即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰,分析认为,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关.根据电子
【机 构】
：
山东大学光电材料与器件研究所,中国科学院物理研究所
【出 处】
：
红外与毫米波学报
【发表日期】
：
2001年4期
【基金项目】
：
国家自然科学基金，山东省自然科学基金
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