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采用脉冲激光沉积法在FTO基片上制备铌酸银薄膜，并运用XRD、UV-Vis和AFM等方法对薄膜样品进行表征和分析。研究了薄膜的光电化学性质。结果表明，样品含有Ag2Nb4O11 和AgNbO3两相。其光电化学研究结果表明在低偏压区有较大的光电流密度。另外，混合相薄膜的最大光电流和稳态光电流的比值Ip／Is小于纯相AgNbO。薄膜的值，此结果说明混相薄膜具有较低的表面电子空穴复合率。