InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构发光特性的测量与分析

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：junyuan__zhang

【摘要】

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利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光（PL）光谱、选择激发光谱以及激发（PLE）光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应

【作者】

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郭洪英潘定珍范俊卿马旭戴振宏孙元平

【机构】

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烟台大学光电信息科学技术学院

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2009年6期

【关键词】

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INGAN 光致发光激发光谱 InGaN photoluminescence excitation spectrum

【基金项目】

：

基拿项目：山东省中青年科学家奖励基金（2006BS01240）,山东省自然科学杰出青年基金（2008JQB01028）资助项目

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利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光（PL）光谱、选择激发光谱以及激发（PLE）光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息。变温PL光谱的结果表明：在温度从30K变化到300K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移。通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性。PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是InxGa1-xN阱层的Stokes位移变化很大。同时,提出了一种可同时获

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