【摘 要】
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di/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起V
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di/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起VCE变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性,并给出了快速检测这种失效的两种备选方案。利用大面积高压压封IGBT模块及单IGBT芯片进行验证测试。
The higher on-resistance of the di / dt snubber causes the IGBT short-circuit characteristics to be significantly different between the two short-circuit modes. Due to the drastically reduced collector-emitter voltage during short-circuit opening, the IGBT short-circuit mode one becomes Extraordinarily important, but also causes the steep desaturation of the VCE. This article describes the IGBT characteristics of this failure mode and gives two alternatives for quickly detecting this failure. Using a large area of high pressure sealed IGBT modules and single IGBT chip for verification testing.
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