【摘 要】
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采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源和PH3作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底上,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜((n)nc-
【机 构】
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河北大学电子信息工程学院,中国科学院半导体研究所,中国科学院上海冶金研究所,南京大学物理系,中国科学院微电子中心
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采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源和PH3作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底上,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜((n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结,并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性.结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性.正向偏压下,该异质结的电流输运机理为复合-隧穿模型.当正向偏压VF＜0.8V时,电流输运过程由复合机理所支配;而当VF＞1.0V时由隧穿机理决定.反向偏压下,该异质结具有良好的反向击穿特性.
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