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从理论上分析了适合于纯CMOS工艺的VT基准电流源的温度特性,用该电路同时实现基准电压和基准电流.并用0.18μm纯CMOS工艺模型(BSIM 3V3 Level=49)在Hspice U2003.9中进行了仿真验证.该电路具有较小的面积、较高的电源电压抑制比和较低的温度系数.
一种新的VT基准源
【摘 要】
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从理论上分析了适合于纯CMOS工艺的VT基准电流源的温度特性,用该电路同时实现基准电压和基准电流.并用0.18μm纯CMOS工艺模型(BSIM 3V3 Level=49)在Hspice U2003.9中进行了仿
【机 构】
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电子科技大学微电子与同体电子学院新器件室
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2005年12期
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