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室温下用磁控溅射法在Si（111）衬底上生成Au／SiO2复合纳米颗粒膜，并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀（直径约为70nm）的Au纳米点，从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板，然后，将Au催化剂模板在1100℃下退火处理，生成纳米线，SEM和TEM测试，制备的SiO2纳米线直径约为100nm，长度约为4μm，表面光滑，直且粗细均匀。