重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量

• 作 者: 付雪涛 刘筠 张旭 王香 管琪 裴会川 张永刚 李雪
• 机 构: 工业和信息化部电子第四研究院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海技术物理研究所
• 出 处: 激光与红外
• 发表日期: 2016年7期
• 关键词: 铟镓砷外延层 迁移率:范德堡法 InGaAs epitaxial layer mobility Van Der Pauw method

通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟（N＋-InP）衬底生长的In0.53Ga0.47As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先,采用环氧树脂胶将In0.53Ga0.47As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上,以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底;之后,采用扫描电子显微镜能谱及金相显微镜对InP衬底的剥离情况及In0.53Ga0.47As薄膜的损伤情况进行了检测;最后采用范德堡法对粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上的In0.53Ga0.47As薄膜的迁移率进行了测量。通过对比试验得出,剥离InP衬底的In0.53Ga0.47As薄